MOSFET N STMicroelectronics 125 A 100 V Enrichissement, 8 broches, PowerFLAT STL125N10F8AG AEC-Q101

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214-996
Référence fabricant:
STL125N10F8AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

125A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PowerFLAT

Série

STL125N10F8AG

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

4.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56nC

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, AEC-Q101

Standard automobile

AEC-Q101

Le MOSFET de puissance en mode d'amélioration à canal N de 100 V de STMicroelectronics est conçu dans la technologie STripFET F8 avec une structure de grille de tranchée améliorée. Il garantit un chiffre de mérite de pointe pour une très faible résistance à l'état sous tension tout en réduisant les capacités internes et la charge de grille pour une commutation plus rapide et plus efficace.

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