MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 750 V Enrichissement, 7 broches, HU3PAK SCT

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Code commande RS:
215-239
Référence fabricant:
SCT060HU75G3AG
Marque:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

30A

Tension Drain Source maximum Vds

750V

Type de Boitier

HU3PAK

Série

SCT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

7

Mode de canal

Enrichissement

Pays d'origine :
JP
Le dispositif MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé à l'aide de la technologie MOSFET SiC avancée et innovante de 3e génération de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.

Performances de commutation à haute vitesse

Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste

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