MOSFET canal N STMicroelectronics 30 A 750 V Enrichissement, 7 broches, HU3PAK SCT
- Code commande RS:
- 215-239
- Référence fabricant:
- SCT060HU75G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 600 unités)*
4 810,20 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 600 + | 8,017 € | 4 810,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 215-239
- Référence fabricant:
- SCT060HU75G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum (Id) | 30 A | |
| Tension Drain Source maximum (Vds) | 750 V | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Type de Boitier | HU3PAK | |
| Série | SCT | |
| Type de montage | En surface | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum (Id) 30 A | ||
Tension Drain Source maximum (Vds) 750 V | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Nombre de broches 7 | ||
Type de Boitier HU3PAK | ||
Série SCT | ||
Type de montage En surface | ||
- Pays d'origine :
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
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