MOSFET canal N Nexperia 240 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK NextPower-S3 technology
- Code commande RS:
- 219-474
- Référence fabricant:
- PSMN1R4-40YLDX
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité, sur un ruban de 1)*
1,99 €
HT
2,39 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 25 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,99 € |
| 10 - 99 | 1,79 € |
| 100 - 499 | 1,66 € |
| 500 - 999 | 1,54 € |
| 1000 + | 1,37 € |
*Prix donné à titre indicatif
Proposition de remplacement
Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:
l'unité (en bobine de 3000)
3 945,00 €
HT
4 734,00 €
TTC
- Code commande RS:
- 219-474
- Référence fabricant:
- PSMN1R4-40YLDX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 240A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | NextPower-S3 technology | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 45nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 238W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 240A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série NextPower-S3 technology | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 45nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 238W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté de la technologie de jonction avancée TrenchMOS Super. Ce produit a été conçu et certifié pour les applications de commutation d'alimentation haute performance. Il est conçu pour les applications hautes performances, y compris la rectification synchrone, les convertisseurs c.c.-c.c., les alimentations de serveur, la commande de moteur c.c. brushless et la protection de la batterie. Il offre un haut rendement et des performances fiables dans une large gamme de tâches de gestion de l'alimentation.
Faible inductance parasite et faible résistance
Boîtier Power SO8 avec clip collé et matrice à souder haute fiabilité
Capable de souder à la vague
Commutation ultra-rapide avec récupération souple
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Nexperia 240 A 40 V Enrichissement LFPAK NextPower-S3 technology
- MOSFET canal N Nexperia 240 A 40 V Enrichissement LFPAK NextPower-S3 Schottky-Plus
- MOSFET canal N Nexperia 290 A 40 V Enrichissement LFPAK NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- MOSFET canal N Nexperia 100 A 30 V Enrichissement LFPAK NextPowerS3 Technology
- MOSFET canal N Nexperia 55 A 100 V Enrichissement LFPAK NextPower
- MOSFET canal N Nexperia 65 A 100 V Enrichissement LFPAK NextPower
- MOSFET canal N Nexperia 120 A 40 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 280 A 40 V Enrichissement LFPAK PSM