Références fabricant

MOSFET canal N Nexperia 55 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK NextPower

Code commande RS:: 219-288
Référence fabricant:: PSMN015-100YSFX
Marque:: Nexperia

MOSFET canal N Nexperia 55 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK NextPower

Sous-total (1500 unités, sur une bobine de 1500)*

1 414,50 €

1 698,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
1500 +	0,943 €	1 414,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Proposition de remplacement

Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:

MOSFET canal N Vishay 56.7 A 100 V Enrichissement, 7 broches, SO-8L SIJ

Code commande RS: 279-9933

l'unité (en bobine de 3000)

2 469,00 €

2 962,80 €

TTC

Code commande RS:: 219-288
Référence fabricant:: PSMN015-100YSFX
Marque:: Nexperia

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	55A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	NextPower
	Type de Boitier	LFPAK
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	5
	Résistance Drain Source maximum Rds	15.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	105W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	24nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	10V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 55A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série NextPower
	Type de Boitier LFPAK
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 5
	Résistance Drain Source maximum Rds 15.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 105W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 10V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile Non

Datasheet - PSMN015-100YSFX

Pays d'origine :: PH

Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est qualifié pour 175 °C. Il est idéal pour les applications industrielles et grand public. Il est adapté pour la rectification synchrone dans les convertisseurs c.a.-c.c. et c.c.-c.c., la commutation latérale primaire dans les systèmes c.c.-c.c. 48 V, la commande de moteur BLDC, les adaptateurs USB-PD et mobiles à charge rapide, ainsi que les topologies de rappel et de résonance.

Puissante valeur nominale d'énergie d'avalanche

Homologué Avalanche et testé à 100 %

Sans Ha et conforme à la directive RoHS

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