MOSFET canal N Nexperia 55 A 100 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK NextPower
- Code commande RS:
- 219-290
- Référence fabricant:
- PSMN015-100YSFX
- Marque:
- Nexperia
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité, sur un ruban de 1)*
1,42 €
HT
1,70 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 avril 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,42 € |
| 10 - 99 | 1,28 € |
| 100 - 499 | 1,19 € |
| 500 - 999 | 1,10 € |
| 1000 + | 0,99 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-290
- Référence fabricant:
- PSMN015-100YSFX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 55A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | NextPower | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 105W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 55A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série NextPower | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 105W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est qualifié pour 175 °C. Il est idéal pour les applications industrielles et grand public. Il est adapté pour la rectification synchrone dans les convertisseurs c.a.-c.c. et c.c.-c.c., la commutation latérale primaire dans les systèmes c.c.-c.c. 48 V, la commande de moteur BLDC, les adaptateurs USB-PD et mobiles à charge rapide, ainsi que les topologies de rappel et de résonance.
Puissante valeur nominale d'énergie d'avalanche
Homologué Avalanche et testé à 100 %
Sans Ha et conforme à la directive RoHS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Nexperia 55 A 100 V Enrichissement LFPAK NextPower
- MOSFET canal N Nexperia 65 A 100 V Enrichissement LFPAK NextPower
- MOSFET canal N Nexperia 240 A 40 V Enrichissement LFPAK NextPower-S3 technology
- MOSFET canal N Nexperia 240 A 40 V Enrichissement LFPAK NextPower-S3 Schottky-Plus
- MOSFET canal N Nexperia 290 A 40 V Enrichissement LFPAK NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- MOSFET canal N Nexperia 80 A 100 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 120 A 100 V Enrichissement LFPAK PSM
- MOSFET canal N Nexperia 115 A 100 V Enrichissement LFPAK PSM