MOSFET canal N Nexperia 290 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK NextPower-S3 Schottky-Plus technology
- Code commande RS:
- 219-337
- Référence fabricant:
- PSMN1R0-40YSHX
- Marque:
- Nexperia
Sous-total (1500 unités, sur une bobine de 1500)*
4 573,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1500 + | 3,049 € | 4 573,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 219-337
- Référence fabricant:
- PSMN1R0-40YSHX
- Marque:
- Nexperia
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 290A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | LFPAK | |
| Série | NextPower-S3 Schottky-Plus technology | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 87nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 290A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier LFPAK | ||
Série NextPower-S3 Schottky-Plus technology | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 87nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté de la technologie de jonction avancée TrenchMOS Super. Ce produit a été conçu et certifié pour les applications de commutation d'alimentation haute performance. Il est conçu pour les applications hautes performances, y compris la rectification synchrone, les convertisseurs c.c.-c.c., les alimentations de serveur, la commande de moteur c.c. brushless, la protection des batteries et les solutions de commutateur de charge/fusible. Il offre un haut rendement et des performances fiables dans une large gamme de tâches de gestion de l'alimentation.
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