MOSFET canal N Nexperia 290 A 40 V Enrichissement, 5 broches, LFPAK NextPower-S3 Schottky-Plus technology

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Code commande RS:
219-338
Référence fabricant:
PSMN1R0-40YSHX
Marque:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

290A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

LFPAK

Série

NextPower-S3 Schottky-Plus technology

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

333W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

87nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH
Le transistor MOSFET à canal N de Nexperia est doté de la technologie de jonction avancée TrenchMOS Super. Ce produit a été conçu et certifié pour les applications de commutation d'alimentation haute performance. Il est conçu pour les applications hautes performances, y compris la rectification synchrone, les convertisseurs c.c.-c.c., les alimentations de serveur, la commande de moteur c.c. brushless, la protection des batteries et les solutions de commutateur de charge/fusible. Il offre un haut rendement et des performances fiables dans une large gamme de tâches de gestion de l'alimentation.

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