MOSFET Infineon canal N, PG-HSOG-8-1 310 A 120 V, 8 broches

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Code commande RS:
284-709
Référence fabricant:
IAUTN12S5N018GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

310 A

Tension Drain Source maximum

120 V

Type de boîtier

PG-HSOG-8-1

Série

OptiMOS

Type de montage

CMS

Nombre de broches

8

Mode de canal

Enrichissement

Matériau du transistor

SiC

Nombre d'éléments par circuit

1

Le MOSFET de puissance automobile Infineon OptiMOS 5 est conçu spécifiquement pour les applications automobiles, garantissant des performances et une fiabilité exceptionnelles. Avec sa configuration robuste en mode d'amélioration du canal N, ce MOSFET excelle dans des conditions exigeantes, offrant des qualifications étendues qui dépassent les normes de l'industrie. Il fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à 175°C et subit des tests électriques améliorés, ce qui en fait un composant essentiel pour les conceptions automobiles innovantes. Le dispositif est optimisé pour minimiser la charge de récupération inverse, ce qui se traduit par une efficacité accrue et une perte d'énergie réduite dans vos applications. Cette combinaison de durabilité élevée et de performances de haut niveau en fait un choix essentiel pour les ingénieurs automobiles à la recherche de solutions fiables pour leurs conceptions.

Optimisé pour une grande fiabilité dans l'automobile
Excellente performance thermique jusqu'à 175°C
Faible résistance de l'État à l'efficacité énergétique
Protection contre les surintensités par avalanche
Conforme à la directive RoHS pour les normes environnementales
Conception robuste pour les courants d'impulsion élevés
testé à 100 % en avalanche pour garantir la qualité

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