Transistor de puissance canal N Infineon 297 A 135 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOG-8 IPT

Le transistor de puissance OptiMOS 6 135 V d'Infineon est un MOSFET à canal N, de niveau normal, conçu pour offrir un rendement élevé dans les applications de puissance. Il se caractérise par une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)), qui minimise les pertes de conduction pour un meilleur rendement énergétique. Avec un excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM), il garantit des performances de commutation optimales. Le MOSFET offre également une très faible charge de récupération inverse (Qrr), ce qui améliore l'efficacité de la commutation. En outre, il est 100 % testé contre les avalanches pour garantir sa fiabilité et peut fonctionner à 175 °C, ce qui le rend adapté aux températures élevées et aux environnements exigeants.

Optimisé pour les entraînements de moteurs et les applications alimentées par batterie