Transistor de puissance canal N Infineon 70 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT
- Code commande RS:
- 349-258
- Référence fabricant:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-258
- Référence fabricant:
- IPT60R037CM8XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | Transistor de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 70A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 37mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 79nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 390W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit Transistor de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 70A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 37mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 79nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 390W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor de puissance Infineon série IPT, tension de source de drain maximale de 600 V, courant de drain continu maximal de 70 A - IPT60R037CM8XTMA1
Ce transistor de puissance est un transistor MOSFET à canal N haute tension conçu pour les tâches de commutation et de conversion de puissance industrielles. Il fonctionne dans une large plage ambiante et est destiné aux assemblages montés en surface où une gestion robuste du courant et une tolérance de tension élevée sont nécessaires. Ce dispositif est spécifié pour les applications industrielles JEDEC et convient aux environnements exigeant une dissipation élevée et une commande de grille fiable.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de 600 V permet des applications de commutation haute tension
• Le courant de drainage continu de 70 A permet de gérer les charges lourdes
• Le faible Rds(on) de 37 mΩ réduit les pertes de conduction
• La dissipation de puissance maximale de 390 W permet une grande autonomie thermique
• La charge de grille typique de 79 nC équilibre l'entraînement et la vitesse de commutation
• La tolérance de la grille de ±20 V simplifie la conception de l'entraînement de grille
• Le courant de drainage continu de 70 A permet de gérer les charges lourdes
• Le faible Rds(on) de 37 mΩ réduit les pertes de conduction
• La dissipation de puissance maximale de 390 W permet une grande autonomie thermique
• La charge de grille typique de 79 nC équilibre l'entraînement et la vitesse de commutation
• La tolérance de la grille de ±20 V simplifie la conception de l'entraînement de grille
Applications
• Adapté aux étapes d'inverseur à entraînement motorisé industriel
• Idéal pour les alimentations haute tension et les convertisseurs
• Utilisé avec des topologies de pont dans les convertisseurs d'énergie renouvelable
• Peut être utilisé pour les modules d'alimentation industriels à commutation difficile
• Convient aux étapes de conversion c.c.-c.c. à courant élevé
• Idéal pour les alimentations haute tension et les convertisseurs
• Utilisé avec des topologies de pont dans les convertisseurs d'énergie renouvelable
• Peut être utilisé pour les modules d'alimentation industriels à commutation difficile
• Convient aux étapes de conversion c.c.-c.c. à courant élevé
Quelle plage de température peut-il supporter pendant le fonctionnement?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, s'adaptant aux environnements thermiques difficiles et aux applications à boîtier surélevé.
Comment le dispositif est-il emballé pour l'assemblage?
Il est fourni dans un boîtier à montage en surface PG-HSOF-8 à 8 broches destiné au montage par refusion sur circuit imprimé et aux configurations de carte compactes.
Quelles sont les caractéristiques de la porte et du canal qui affectent les circuits d'entraînement?
Le dispositif d'amélioration à canal N est doté d'une charge de grille typique de 79 nC et d'une valeur nominale de grille à source maximale de 20 V, ce qui indique la sélection du driver de grille et les marges de protection.
Comment la tension directe influence-t-elle les performances de commutation?
Une tension directe de 0,9 V contribue à un comportement d'activation rapide de la conduction et prend en compte les calculs de perte de conduction globale lors de la sélection de l'appareil.
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