Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT

Code commande RS:: 349-261
Référence fabricant:: IPT60T040S7XTMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT

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500 - 999	6,88 €	22%
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*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 349-261
Référence fabricant:: IPT60T040S7XTMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	13A
	Tension Drain Source maximum Vds	600V
	Type de Boitier	PG-HSOF-8
	Série	IPT
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	40mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	83nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	245W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	820mV
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Normes/homologations	RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 13A
	Tension Drain Source maximum Vds 600V
	Type de Boitier PG-HSOF-8
	Série IPT
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 83nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 245W
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 820mV
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Normes/homologations RoHS, JEDEC for Industrial Applications
	Standard automobile Non

Datasheet - IPT60T040S7XTMA1

Pays d'origine :: MY

Le CoolMOS S7 d'Infineon affiche les valeurs Rdson les plus basses pour un MOSFET SJ HV, avec une augmentation notable du rendement énergétique. Le capteur de température intégré augmente la précision et la robustesse de la détection de la température de jonction tout en conservant une mise en œuvre simple et transparente. Le CoolMOS S7 est optimisé pour la commutation statique et les applications à courant élevé. Il est idéal pour les relais statiques, les disjoncteurs et le redressement de ligne dans les topologies de SMPS et d'onduleurs. Le nouveau capteur de température améliore les caractéristiques de la S7, permettant une utilisation optimale du transistor de puissance.

La technologie CoolMOS S7 permet d'obtenir le plus faible RDS(on) dans le plus petit encombrement.

Rapport qualité/prix optimisé pour les applications de commutation à basse fréquence

Capacité de courant d'impulsion élevée

Diagnostics sans faille au niveau du système le plus bas

Fonction de détection de la température pour la protection et l'optimisation de l'utilisation des dispositifs thermiques

MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT

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