MOSFET canal N Infineon 13 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT
- Code commande RS:
- 349-261
- Référence fabricant:
- IPT60T040S7XTMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-261
- Référence fabricant:
- IPT60T040S7XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 13A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 83nC | |
| Tension directe Vf | 0.82V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 245W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS, JEDEC for Industrial Applications | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 13A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 83nC | ||
Tension directe Vf 0.82V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 245W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS, JEDEC for Industrial Applications | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le CoolMOS S7 d'Infineon affiche les valeurs Rdson les plus basses pour un MOSFET SJ HV, avec une augmentation notable du rendement énergétique. Le capteur de température intégré augmente la précision et la robustesse de la détection de la température de jonction tout en conservant une mise en œuvre simple et transparente. Le CoolMOS S7 est optimisé pour la commutation statique et les applications à courant élevé. Il est idéal pour les relais statiques, les disjoncteurs et le redressement de ligne dans les topologies de SMPS et d'onduleurs. Le nouveau capteur de température améliore les caractéristiques de la S7, permettant une utilisation optimale du transistor de puissance.
La technologie CoolMOS S7 permet d'obtenir le plus faible RDS(on) dans le plus petit encombrement.
Rapport qualité/prix optimisé pour les applications de commutation à basse fréquence
Capacité de courant d'impulsion élevée
Diagnostics sans faille au niveau du système le plus bas
Fonction de détection de la température pour la protection et l'optimisation de l'utilisation des dispositifs thermiques
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