MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT
- Code commande RS:
- 349-259
- Référence fabricant:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,236 € | 16,18 € |
| 50 - 95 | 3,07 € | 15,35 € |
| 100 - 495 | 2,852 € | 14,26 € |
| 500 - 995 | 2,618 € | 13,09 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-259
- Référence fabricant:
- IPT60R180CM8XTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | IPT | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 180mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 119W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série IPT | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 180mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 119W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
La plateforme CoolMOS de 8e génération d' Infineon est une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance à haute tension, conçue selon le principe de la superjonction (SJ) et mise au point par Infineon Technologies. La série CoolMOS CM8 600 V est le successeur du CoolMOS 7. Elle combine les avantages d'un MOSFET SJ à commutation rapide avec une excellente facilité d'utilisation, par exemple une faible tendance à la résonance, une diode de corps rapide intégrée pour tous les produits avec une robustesse exceptionnelle contre la commutation dure et une excellente capacité ESD. En outre, les pertes de commutation et de conduction extrêmement faibles du CM8 rendent les applications de commutation encore plus efficaces.
Convient aux topologies de commutation dure et douce
Facilité d'utilisation et rapidité de conception grâce à une faible tendance à la résonance
Gestion thermique simplifiée grâce à notre technique avancée de fixation de matrice
Convient à diverses applications et de gammes de puissance
Solutions de densité de puissance accrue grâce à l'utilisation de produits à faible encombrement
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