MOSFET canal N Infineon 87 A 200 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8 IPT
- Code commande RS:
- 349-132
- Référence fabricant:
- IPT129N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
7,86 €
HT
9,43 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 990 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 7,86 € |
| 10 - 99 | 7,07 € |
| 100 - 499 | 6,53 € |
| 500 - 999 | 6,07 € |
| 1000 + | 5,41 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-132
- Référence fabricant:
- IPT129N20NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 87A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 234W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 37nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 87A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 234W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 37nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le transistor de puissance OptiMOS 6 d'Infineon 200 V est un MOSFET à canal N, de niveau normal, conçu pour les applications de puissance à haut rendement. Il se caractérise par une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)), ce qui minimise les pertes par conduction. L'excellent produit de charge de grille x RDS(on) (FOM) garantit des performances de commutation supérieures, tandis que la très faible charge de récupération inverse (Qrr) contribue à un fonctionnement efficace. Avec un indice énergétique élevé en cas d'avalanche, il offre une robustesse accrue et peut fonctionner à 175 °C, ce qui le rend fiable même dans les environnements difficiles.
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Sans halogène selon IEC61249-2-21
Classification MSL 1 selon J-STD-020
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 8 A 600 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT
- MOSFET N Infineon 13 A 600 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT
- MOSFET N Infineon 23 A 600 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT
- MOSFET N Infineon 18 A 600 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT
- MOSFET N Infineon 169 A 80 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT
- MOSFET N Infineon 331 A 80 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT
- MOSFET N Infineon 313 A 60 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT
- MOSFET de puissance N Infineon 142 A 600 V Enrichissement PG-HSOF-8 IPT