MOSFET canal N Infineon 297 A 135 V Enrichissement, 16 broches, PG-HSOF-16 IPT
- Code commande RS:
- 349-133
- Référence fabricant:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
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| 1 - 9 | 9,50 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-133
- Référence fabricant:
- IPTC020N13NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 297A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 135V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-16 | |
| Série | IPT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 16 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 159nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 395W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 297A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 135V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-16 | ||
Série IPT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 16 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 159nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 395W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le transistor de puissance OptiMOS 6 d'Infineon 120 V est un MOSFET à canal N, de niveau normal, conçu pour les applications de puissance haute performance. Il offre une très faible résistance à l'état passant (RDS(on)), ce qui permet de réduire les pertes par conduction et d'améliorer le rendement. Le MOSFET présente un excellent produit charge de grille x RDS(on) (FOM) pour des performances de commutation supérieures. Il est également doté d'une très faible charge de récupération inverse (Qrr), ce qui optimise l'efficacité lors des commutations. Avec un indice énergétique élevé en cas d'avalanche, il garantit la fiabilité dans des conditions exigeantes et fonctionne efficacement à 175 °C, ce qui le rend idéal pour les environnements à haute température.
Optimisé pour la commutation à haute fréquence et le redressement synchrone
Placage sans plomb
Conforme à la directive RoHS
Sans halogène selon IEC61249-2-21
Classification MSL 1 selon J-STD-020
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