MOSFET canal N Infineon 99 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PG-WHSON-8 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-767
- Référence fabricant:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 6000 unités)*
8 724,00 €
HT
10 470,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 6000 + | 1,454 € | 8 724,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-767
- Référence fabricant:
- IQE046N08LM5SCATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 99A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | PG-WHSON-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 99A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier PG-WHSON-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET d'Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS 5 conçu pour offrir des performances et une fiabilité exceptionnelles dans les applications à haut rendement. Conçu pour la rectification synchrone dans les alimentations à découpage, ce transistor MOSFET innovant intègre des fonctions de gestion thermique avancées pour garantir une dissipation thermique supérieure. Grâce à une configuration de canal N de niveau logique et à une résistance d'enclenchement extrêmement faible, il garantit un fonctionnement efficace même à des températures élevées. Ce composant répond aux normes industrielles rigoureuses tout en offrant une protection robuste contre les avalanches, ce qui en fait un choix de premier ordre pour les applications industrielles nécessitant une manipulation de courant élevé et une résistance à l'environnement.
Optimisé pour une commutation haute performance
La faible résistance à l'usure améliore l'efficacité énergétique
Des performances thermiques robustes pour une plus grande longévité
Testé en avalanche pour la fiabilité
Placage au plomb sans plomb conforme aux normes RoHS
Sans halogène pour une conformité respectueuse de l'environnement
Idéal pour les applications industrielles rigoureuses
Un boîtier compact pour une intégration aisée
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