MOSFET canal N Infineon 789 A 25 V Enrichissement, 8 broches, PG-WHSON-8 OptiMOS 5

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Code commande RS:
348-884
Référence fabricant:
IQDH29NE2LM5SCATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

789A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Série

OptiMOS 5

Type de Boitier

PG-WHSON-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
AT
Ce MOSFET de puissance Infineon est doté du RDS(ON) le plus bas de l'industrie, soit 0,29 mOhm, associé à des performances thermiques exceptionnelles pour une gestion aisée des pertes de puissance.

Pertes de conduction minimisées

Commutation rapide

Dépassement de tension réduit

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