MOSFET canal N Infineon 132 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-WHSON-8 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-760
- Référence fabricant:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Marque:
- Infineon
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| 100 - 495 | 3,456 € | 17,28 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-760
- Référence fabricant:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 132A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de Boitier | PG-WHSON-8 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 132A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série OptiMOS | ||
Type de Boitier PG-WHSON-8 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET Infineon est doté d'un transistor de puissance optimos 5 conçu pour exceller dans les applications de redressement synchrone, offrant des performances et une efficacité inégalées. Avec une conception robuste et des capacités de gestion thermique ART, ce transistor MOSFET de puissance garantit un fonctionnement fiable dans les environnements exigeants. Sa résistance thermique supérieure en fait un choix de premier ordre pour diverses applications industrielles, garantissant que vos systèmes fonctionnent avec une fiabilité maximale et une perte de puissance minimale. Entièrement conforme à la réglementation RoHS, ce composant donne la priorité au respect de l'environnement tout en conservant une fonctionnalité exceptionnelle.
Redressement synchrone à haut rendement
Configuration à N canaux pour une performance efficace
fiabilité testée à 100 % en avalanche
Matériaux sans halogène pour une élimination plus sûre
Prise en charge d'une large gamme de températures industrielles
La résistance minimale à l'état passant réduit la perte de puissance
Conforme à la directive RoHS pour la durabilité environnementale
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