MOSFET canal N Infineon 132 A 60 V Enrichissement, 9 broches, PG-WHTFN-9 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-757
- Référence fabricant:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 6000 unités)*
7 704,00 €
HT
9 246,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 6000 + | 1,284 € | 7 704,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-757
- Référence fabricant:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 132A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PG-WHTFN-9 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 132A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PG-WHTFN-9 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 39nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET d'Infineon est un transistor de puissance qui illustre une technologie et des performances de pointe, conçu pour un fonctionnement efficace dans des applications exigeantes. Optimisé pour le redressement synchrone, il assure une gestion thermique et une fiabilité supérieures, ce qui en fait un choix idéal pour diverses utilisations industrielles. Construit autour de la plate-forme OptiMOS 5, il est conçu pour fonctionner efficacement dans une plage de 60 V tout en conservant un encombrement compact. Sa conception robuste facilite une commutation efficace, garantissant des performances élevées tout en minimisant les pertes.
Résistance thermique supérieure pour une meilleure fiabilité
Placage sans plomb pour le respect de l'environnement
test d'avalanche à 100 % pour l'assurance des performances
Charge de grille exceptionnelle pour l'efficacité de commutation
Conforme aux normes sans halogène
Idéal pour les applications industrielles rigoureuses
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