MOSFET canal N Infineon 276 A 100 V Enrichissement, 9 broches, PG-WHTFN-9 IQD0
- Code commande RS:
- 351-909
- Référence fabricant:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,54 € | 13,08 € |
| 20 - 198 | 5,90 € | 11,80 € |
| 200 - 998 | 5,435 € | 10,87 € |
| 1000 - 1998 | 5,04 € | 10,08 € |
| 2000 + | 4,52 € | 9,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 351-909
- Référence fabricant:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 276A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PG-WHTFN-9 | |
| Série | IQD0 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.05mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 107nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 0.75mm | |
| Largeur | 6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 276A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PG-WHTFN-9 | ||
Série IQD0 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.05mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 107nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 0.75mm | ||
Largeur 6mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Ce MOSFET de puissance Infineon est doté d'un faible RDS(on) de 2,05 mOhm associé à des performances thermiques exceptionnelles pour une gestion aisée des pertes de puissance. L'empreinte Center-Gate est optimisée pour la parallélisation. De plus, le boîtier à refroidissement sur deux côtés permet de dissiper cinq fois plus d'énergie par rapport au boîtier surmoulé. Cela permet d'améliorer l'efficacité du système et la densité de puissance pour diverses applications finales.
Technologie de pointe pour le silicium 100 V
Facteurs de mérite (FdM) exceptionnels
Amélioration des performances thermiques
Parasites ultra-faibles
Rapport maximal entre la puce et le boîtier
Empreinte Center-Gate
Boîtier standard de l'industrie
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