MOSFET Infineon canal N, PG-WHTFN-9 85 A 100 V, 9 broches

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Code commande RS:
284-777
Référence fabricant:
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

85 A

Tension Drain Source maximum

100 V

Type de boîtier

PG-WHTFN-9

Série

OptiMOS

Type de montage

CMS

Nombre de broches

9

Mode de canal

Enrichissement

Nombre d'éléments par circuit

1

Matériau du transistor

SiC

Le MOSFET d'Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS 5 conçu pour des performances exceptionnelles dans les applications de redressement synchrone, offrant un rendement élevé et une grande fiabilité. La technologie MOSFET avancée en fait un choix idéal pour les conceptions d'alimentation exigeantes, assurant une gestion thermique optimale et une perte d'énergie réduite. Conçu pour fonctionner à 100V, ce transistor fait preuve d'une robustesse impressionnante grâce à un test d'avalanche à 100%, offrant ainsi une tranquillité d'esprit pour les applications industrielles.

Optimisé pour les alimentations à découpage
Canal N pour une meilleure commutation
La résistance thermique supérieure garantit la fiabilité
Placage au plomb sans plomb pour la sécurité de l'environnement
Les matériaux sans halogène sont conformes aux normes IEC

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