MOSFET canal N Infineon 789 A 25 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS

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Code commande RS:
284-940
Référence fabricant:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

789A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

PG-TTFN-9

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

9

Résistance Drain Source maximum Rds

0.29mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

278W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
AT
Le MOSFET d'Infineon est doté d'un transistor de puissance optimos 5 conçu pour offrir des performances exceptionnelles dans diverses applications industrielles. Ce transistor à canal N de pointe fonctionne à une tension maximale de 25V, offrant une faible résistance à l'enclenchement impressionnante et une gestion thermique améliorée. Sa capacité impressionnante de 789A de courant de drain continu lui permet de fonctionner efficacement même dans des conditions rigoureuses. Conçu pour être fiable, il est entièrement qualifié selon les normes JEDEC, ce qui garantit sa longévité et son endurance dans une utilisation quotidienne.

Résistance thermique avancée pour une plus grande longévité

Le courant de drain à tension de grille nulle minimise le gaspillage d'énergie

Traitement robuste de l'énergie d'avalanche pour la fiabilité

Sans plomb et conforme à la directive RoHS pour le respect de l'environnement

Optimisé pour les applications de niveau logique

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