MOSFET canal N Infineon 445 A 60 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-929
- Référence fabricant:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,91 € | 9,82 € |
| 20 - 198 | 4,415 € | 8,83 € |
| 200 - 998 | 4,075 € | 8,15 € |
| 1000 - 1998 | 3,775 € | 7,55 € |
| 2000 + | 3,39 € | 6,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-929
- Référence fabricant:
- IQD009N06NM5CGATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 445A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PG-TTFN-9 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 445A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PG-TTFN-9 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 12nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET d'Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS 5 conçu pour des performances à haut rendement dans diverses applications, offrant un fonctionnement stable à une tension maximale de 60V. Ce MOSFET à canal N présente une faible résistance à l'enclenchement, ce qui réduit considérablement les pertes de puissance et garantit que vos conceptions conservent une gestion thermique optimale, même dans des conditions difficiles. Avec des caractéristiques avancées d'avalanche et des tests étendus pour la fiabilité, ce dispositif répond aux applications industrielles exigeant une résistance thermique supérieure et des performances robustes. Le boîtier compact PG TTFN 9 améliore la facilité d'intégration dans les conceptions existantes, ce qui en fait un choix pour les ingénieurs qui cherchent à améliorer leurs systèmes.
La très faible résistance à l'enclenchement améliore l'efficacité
Résistance thermique accrue pour une meilleure performance
Optimisé pour les courants continus et pulsés
Indices d'avalanche complets pour la durabilité
Conforme à la directive RoHS et sans halogène
Entièrement qualifié selon les normes JEDEC
Réduction significative de la dissipation d'énergie
Plage de température flexible pour divers environnements
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