MOSFET canal N Infineon 447 A 60 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-945
- Référence fabricant:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 284-945
- Référence fabricant:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 447A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PG-TTFN-9 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.86mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 333W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 76nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 447A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PG-TTFN-9 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.86mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 333W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 76nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS 5. Il s'agit d'un MOSFET à canal N haute performance conçu pour offrir une efficacité et une fiabilité exceptionnelles pour les applications industrielles. Utilisant la technologie de semi-conducteur avancée, ce composant fournit une gestion thermique supérieure et une faible résistance à l'allumage, ce qui le rend idéal pour les solutions de conversion de puissance. Avec son indice d'énergie d'avalanche élevé et sa validation rigoureuse conformément aux normes JEDEC, vous pouvez faire confiance à ce produit pour répondre aux exigences opérationnelles strictes tout en maintenant la sécurité et la durabilité.
Résistance thermique optimisée pour le refroidissement
Qualifié pour la fiabilité industrielle
Placage au plomb sans plomb pour le respect de l'environnement
Les faibles exigences en matière de commande de grille simplifient les circuits
Conception robuste pour des courants de drainage élevés
fiabilité testée à 100 % en avalanche
Un boîtier compact pour une intégration aisée
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 447 A 60 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 445 A 60 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 610 A 40 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 789 A 25 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 637 A 40 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 151 A 60 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 273 A 100 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
- MOSFET N Infineon 323 A 80 V Enrichissement PG-TTFN-9 OptiMOS
