MOSFET canal N Infineon 447 A 60 V Enrichissement, 9 broches, PG-TTFN-9 OptiMOS

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Code commande RS:
284-944
Référence fabricant:
IQDH88N06LM5CGATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

447A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PG-TTFN-9

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

9

Résistance Drain Source maximum Rds

0.86mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

76nC

Dissipation de puissance maximum Pd

333W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS, IEC61249-2-21

Standard automobile

Non

Le MOSFET Infineon est doté d'un transistor de puissance OptiMOS 5. Il s'agit d'un MOSFET à canal N haute performance conçu pour offrir une efficacité et une fiabilité exceptionnelles pour les applications industrielles. Utilisant la technologie de semi-conducteur avancée, ce composant fournit une gestion thermique supérieure et une faible résistance à l'allumage, ce qui le rend idéal pour les solutions de conversion de puissance. Avec son indice d'énergie d'avalanche élevé et sa validation rigoureuse conformément aux normes JEDEC, vous pouvez faire confiance à ce produit pour répondre aux exigences opérationnelles strictes tout en maintenant la sécurité et la durabilité.

Résistance thermique optimisée pour le refroidissement

Qualifié pour la fiabilité industrielle

Placage au plomb sans plomb pour le respect de l'environnement

Les faibles exigences en matière de commande de grille simplifient les circuits

Conception robuste pour des courants de drainage élevés

fiabilité testée à 100 % en avalanche

Un boîtier compact pour une intégration aisée

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