MOSFET canal N Infineon 89 A 2000 V Enrichissement, 4 broches, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET
- Code commande RS:
- 284-864
- Référence fabricant:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 284-864
- Référence fabricant:
- IMYH200R024M1HXKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 89A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 2000V | |
| Série | CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | |
| Type de Boitier | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 35mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 137nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 576W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 89A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 2000V | ||
Série CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET | ||
Type de Boitier PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 35mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 137nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 576W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET Trench SiC Infineon CoolSiC 2 000 V, tension de source de drain maximale de 2 000 V, courant de drain continu maximal de 89 A - IMYH200R024M1HXKSA1
Ce MOSFET est un transistor de puissance en carbure de silicium conçu pour la commutation haute tension dans les environnements de puissance-électronique exigeants. Il fonctionne comme un dispositif d'amélioration à canal N et est fourni dans un boîtier PG-TO-247-4 à trou traversant qui facilite un montage robuste et l'évacuation de la chaleur dans les assemblages industriels. Ce composant est destiné aux applications nécessitant des tensions de blocage élevées et une gestion soutenue du courant sur une large plage de températures.
Caractéristiques et avantages :
• Résistance drain-source de 2 000 V pour les systèmes haute tension
• Courant de drain continu de 89 A pour un fonctionnement à charge lourde
• Rds(on) de 35 mΩ pour minimiser les pertes de conduction
• Dissipation de puissance maximale de 576 W pour une résistance thermique
• Charge de grille typique de 137 nC à Vgs pour informer la taille du disque
• Fonctionne de -55 °C à 175 °C pour des marges de température étendues
• Courant de drain continu de 89 A pour un fonctionnement à charge lourde
• Rds(on) de 35 mΩ pour minimiser les pertes de conduction
• Dissipation de puissance maximale de 576 W pour une résistance thermique
• Charge de grille typique de 137 nC à Vgs pour informer la taille du disque
• Fonctionne de -55 °C à 175 °C pour des marges de température étendues
Applications
• Convient aux étages haute tension des onduleurs de traction
• Idéal pour les équipements de conversion d'énergie à l'échelle des services publics
• Utilisé avec des modules de convertisseur c.c.-c.c. haute tension
• Peut être utilisé pour les entraînements de moteur et les contrôleurs industriels
• Convient aux conceptions de disjoncteurs statiques
• Idéal pour les équipements de conversion d'énergie à l'échelle des services publics
• Utilisé avec des modules de convertisseur c.c.-c.c. haute tension
• Peut être utilisé pour les entraînements de moteur et les contrôleurs industriels
• Convient aux conceptions de disjoncteurs statiques
Quel format de montage nécessite-t-il pour l'assemblage?
Il est fourni dans un boîtier à trous traversants PG-TO-247-4 nécessitant un dissipateur thermique compatible et un montage sécurisé pour obtenir une dissipation de puissance spécifiée.
Quelles sont les limites d'entraînement de grille à respecter?
La tension maximale de la grille à la source est de 20 V, de sorte que les pilotes de grille doivent limiter la valeur Vgs à cette valeur pour éviter tout dommage.
Comment le dispositif se comporte-t-il thermiquement à charge élevée?
Le transistor peut dissiper jusqu'à 576 W sous un refroidissement approprié
la gestion thermique doit être conçue pour maintenir les températures de jonction dans les limites de fonctionnement.
Est-il adapté aux projets de qualité automobile?
Il n'est pas spécifié pour répondre aux normes automobiles et ne doit pas être sélectionné lorsque la qualification automobile est requise.
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