MOSFET canal N Infineon 150 A 1200 V Enrichissement, EasyDUAL CoolSiC Trench MOSFET Non
- Code commande RS:
- 348-978
- Référence fabricant:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-978
- Référence fabricant:
- FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 150A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Type de Boitier | EasyDUAL | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 150A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série CoolSiC Trench MOSFET | ||
Type de Boitier EasyDUAL | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module demi-pont MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC d'Infineon est conçu pour fournir des solutions d'alimentation haute performance avec le meilleur boîtier de sa catégorie, avec une hauteur compacte de 12 mm pour permettre une utilisation efficace de l'espace. Le module incorpore des matériaux à large bande interdite (WBG) de pointe, offrant une efficacité, une fiabilité et des performances thermiques supérieures. Avec une très faible inductance parasite du module, il permet de minimiser les pertes de puissance et d'améliorer la dynamique de commutation. Ce module est alimenté par le MOSFET CoolSiC Enhanced Gen 1, qui offre une gestion thermique et une efficacité améliorées, ce qui le rend idéal pour les applications de puissance exigeantes.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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