MOSFET canal N Infineon 25 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK CoolSiC Non
- Code commande RS:
- 348-981
- Référence fabricant:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-981
- Référence fabricant:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60.2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série CoolSiC | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60.2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module six-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 1B d'Infineon est conçu pour les applications de puissance haute performance, présentant le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12,25 mm pour permettre une utilisation efficace et optimisée de l'espace. Construit avec des matériaux à large bande interdite (WBG) de pointe, il offre une efficacité supérieure, des performances thermiques et une fiabilité à long terme. Doté de la technologie MOSFET CoolSiC Enhanced Gen 1, il assure une gestion thermique avancée et un rendement énergétique élevé dans les environnements exigeants.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
Meilleure conductivité thermique du matériau DCB
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