MOSFET canal N Infineon 62.5 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK FS13MR12W2M1H_C55 Non
- Code commande RS:
- 348-979
- Référence fabricant:
- FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
166,67 €
HT
200,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 15 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 166,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-979
- Référence fabricant:
- FS13MR12W2M1HC55BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | FS13MR12W2M1H_C55 | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 21.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série FS13MR12W2M1H_C55 | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 21.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module six-pack MOSFET EasyPACK 2B CoolSiC d'Infineon 1 200 V, 13 mΩ intègre la technologie CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1 pour les applications de puissance haute performance. Logé dans le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm, il offre une efficacité optimale en termes d'espace sans sacrifier les performances. Ce module est construit avec des matériaux à large bande interdite (WBG) de pointe, garantissant une efficacité, des performances thermiques et une fiabilité supérieures.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
Meilleure conductivité thermique du matériau DCB
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 50 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK FS13MR12W2M1H_C55 Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal N Infineon 60 A 1200 V Enrichissement EasyPACK EasyPACK Non
- Modules MOSFET Demi-pont canal N Infineon 95 A 1200 V Enrichissement EasyPACK EasyPACK Non
- MOSFET canal N Infineon 25 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK CoolSiC Non
- MOSFET canal N Infineon 75 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK FF11MR12W2M1HP_B11 Non
- MOSFET canal N Infineon 75 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK FF11MR12W2M1H_B70 Non
- MOSFET canal N Infineon 65 A 1200 V Enrichissement, Bac EasyPACK Non
- MOSFET canal N Infineon 100 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK CoolSiC Trench MOSFET Non