MOSFET canal N Infineon 75 A 1.2 kV Enrichissement, EasyPACK FF11MR12W2M1HP_B11 Non

Voir la catégorie

Sous-total (1 unité)*

82,08 €

HT

98,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
1 +82,08 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
348-976
Référence fabricant:
FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

75A

Tension Drain Source maximum Vds

1.2kV

Série

FF11MR12W2M1HP_B11

Type de Boitier

EasyPACK

Type de montage

Borne à vis

Résistance Drain Source maximum Rds

23.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

5.35V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

20mW

Tension maximale de source de la grille Vgs

23V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE
Le module demi-pont MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC d'Infineon est conçu pour les applications de puissance à haute performance, offrant le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm. Il s'appuie sur un matériau à large bande interdite (WBG) de pointe, offrant un rendement énergétique et des performances thermiques accrues. Ce module est conçu avec une très faible inductance parasite, ce qui minimise les pertes de puissance et améliore la vitesse de commutation.

Efficacité exceptionnelle des modules

Avantages liés au coût du système

Amélioration de l'efficacité du système

Réduction des besoins en refroidissement

Permettre une fréquence plus élevée

Augmentation de la densité de puissance

Nos clients ont également consulté