MOSFET canal N Infineon 75 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK FF11MR12W2M1HP_B11 Non
- Code commande RS:
- 348-976
- Référence fabricant:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-976
- Référence fabricant:
- FF11MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Série | FF11MR12W2M1HP_B11 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Série FF11MR12W2M1HP_B11 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60747, IEC 60068, IEC 60749 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module demi-pont MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC d'Infineon est conçu pour les applications de puissance à haute performance, offrant le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm. Il s'appuie sur un matériau à large bande interdite (WBG) de pointe, offrant un rendement énergétique et des performances thermiques accrues. Ce module est conçu avec une très faible inductance parasite, ce qui minimise les pertes de puissance et améliore la vitesse de commutation.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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