MOSFET canal N Infineon 75 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK F4-11MR12W2M1H_B70 Non
- Code commande RS:
- 349-249
- Référence fabricant:
- F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-249
- Référence fabricant:
- F411MR12W2M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Série | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Série F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 2B d'Infineon 1 200 V, 11 mΩ G1 avec NTC, technologie de contact PressFIT et céramique de nitrure d'aluminium. Le MOSFET est conçu avec le meilleur boîtier de sa catégorie, avec une hauteur compacte de 12,25 mm, ce qui optimise l'espace tout en maintenant des performances exceptionnelles. Il incorpore des matériaux à large bande interdite de pointe, offrant une efficacité et une fiabilité supérieures dans les applications exigeantes. Ce module est conçu avec une très faible inductance parasite, ce qui minimise les pertes de puissance et améliore les performances globales de commutation.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
Meilleure conductivité thermique du matériau DCB
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