MOSFET canal N Infineon 60 A 1.2 kV Enrichissement F4-11MR12W2M1H_B70 Non
- Code commande RS:
- 349-250
- Référence fabricant:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 145,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-250
- Référence fabricant:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Série | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | 60749, IEC 60747, 60068 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Série F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations 60749, IEC 60747, 60068 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 2B d'Infineon 1 200 V, 11 mΩ G1 avec NTC, matériau d'interface thermique (TIM) préappliqué et technologie de contact PressFIT. Ce MOSFET présente le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm, garantissant des performances optimales tout en économisant de l'espace. Il utilise des matériaux à large bande interdite de pointe, ce qui améliore le rendement énergétique et la gestion thermique. La conception se caractérise par une très faible inductance parasite du module, réduisant les pertes de puissance et améliorant la vitesse de commutation.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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