MOSFET canal N Infineon 60 A 1200 V Enrichissement F4-11MR12W2M1H_B70 Non
- Code commande RS:
- 349-250
- Référence fabricant:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
145,00 €
HT
174,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 145,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-250
- Référence fabricant:
- F411MR12W2M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | F4-11MR12W2M1H_B70 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | 60749, IEC 60747, 60068 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série F4-11MR12W2M1H_B70 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations 60749, IEC 60747, 60068 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 2B d'Infineon 1 200 V, 11 mΩ G1 avec NTC, matériau d'interface thermique (TIM) préappliqué et technologie de contact PressFIT. Ce MOSFET présente le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm, garantissant des performances optimales tout en économisant de l'espace. Il utilise des matériaux à large bande interdite de pointe, ce qui améliore le rendement énergétique et la gestion thermique. La conception se caractérise par une très faible inductance parasite du module, réduisant les pertes de puissance et améliorant la vitesse de commutation.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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