MOSFET canal N Infineon 45 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK F4-17MR12W1M1H_B76 Non
- Code commande RS:
- 349-252
- Référence fabricant:
- F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-252
- Référence fabricant:
- F417MR12W1M1HB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | F4-17MR12W1M1H_B76 | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 34.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série F4-17MR12W1M1H_B76 | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 34.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60747, IEC 60068, IEC 61140, IEC 60749 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 1B d'Infineon 1 200 V, 17 mΩ G1 avec NTC et technologie de contact PressFIT. Ce MOSFET est conçu avec le meilleur boîtier de sa catégorie, offrant une hauteur compacte de 12 mm pour permettre une utilisation efficace de l'espace. Il exploite des matériaux à large bande interdite de pointe, ce qui permet d'améliorer le rendement énergétique et les performances. Avec une très faible inductance parasite du module, il minimise la perte de puissance et améliore la dynamique de commutation.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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