MOSFET canal N Infineon 100 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK F4-8MR12W2M1H_B70 Non
- Code commande RS:
- 348-969
- Référence fabricant:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-969
- Référence fabricant:
- F48MR12W2M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Série | F4-8MR12W2M1H_B70 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC 60747, 60068, 60749 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Série F4-8MR12W2M1H_B70 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC 60747, 60068, 60749 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 2B d'Infineon 1 200 V, 8 mΩ G1 avec NTC, technologie de contact PressFIT et céramique de nitrure d'aluminium. Ce MOSFET offre le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm, optimisant à la fois l'espace et les performances. Il est doté de matériaux à large bande interdite (WBG) de pointe, offrant une efficacité et une gestion de la puissance supérieures. La conception intègre une très faible inductance parasite du module, ce qui minimise les pertes de puissance et améliore la dynamique de commutation. Alimenté par le MOSFET CoolSiC Gen 1 amélioré, il offre d'excellentes performances thermiques et une grande fiabilité.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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