MOSFET canal N Infineon 45 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK F4-17MR12W1M1HP_B76 Non
- Code commande RS:
- 348-966
- Référence fabricant:
- F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-966
- Référence fabricant:
- F417MR12W1M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 45A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 34.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 45A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 34.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 1B d'Infineon 1 200 V, 17 mΩ G1 avec NTC, matériau d'interface thermique préappliqué et technologie de contact PressFIT. Ce MOSFET est construit avec le meilleur boîtier de sa catégorie, avec une hauteur compacte de 12 mm pour une intégration efficace. Il utilise des matériaux à large bande interdite, qui améliorent les performances et le rendement énergétique. La conception offre une très faible inductance parasite du module, réduisant les pertes de puissance et améliorant les caractéristiques de commutation. Alimenté par le MOSFET CoolSiC Gen 1 amélioré, il offre des performances thermiques et une fiabilité supérieures.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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