MOSFET canal N Infineon 25 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK F4-17MR12W1M1HP_B76 Non
- Code commande RS:
- 348-968
- Référence fabricant:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-968
- Référence fabricant:
- F433MR12W1M1HB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Série | F4-17MR12W1M1HP_B76 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 69.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Série F4-17MR12W1M1HP_B76 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 69.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 1B d'Infineon 1 200 V, 33 mΩ G1 avec NTC et technologie de contact PressFIT. Ce MOSFET présente le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm, permettant une utilisation efficace de l'espace sans compromettre les performances. Il intègre des matériaux à large bande interdite (WBG) de pointe, garantissant une meilleure efficacité et des capacités de gestion de la puissance accrues. La conception se caractérise également par une très faible inductance parasite du module, ce qui réduit la perte de puissance et optimise les performances de commutation.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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