MOSFET canal N Infineon 185 A 1200 V Enrichissement Non

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Code commande RS:
349-315
Référence fabricant:
FF3MR12KM1HHPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

185A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de montage

Borne à vis

Résistance Drain Source maximum Rds

6.32mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

23V

Tension directe Vf

5.59V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
HU
Le module MOSFET CoolSiC en demi-pont 62 mm d'Infineon est logé dans le boîtier de 62 mm réputé, combinant la dernière technologie de puce M1H pour des performances optimales. Ce module offre une densité de courant élevée, ce qui le rend idéal pour les applications qui nécessitent des solutions compactes mais puissantes. Il offre de faibles pertes de commutation, garantissant un fonctionnement efficace même à des fréquences élevées, et se caractérise par une fiabilité supérieure de l'oxyde de grille pour une meilleure durabilité dans le temps.

Minimise les efforts de refroidissement

Réduction du volume et de la taille

Coûts réduits du système

Conception symétrique du module

Technique de construction standard

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