MOSFET canal N Infineon 50 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK FS13MR12W2M1H_C55 Non
- Code commande RS:
- 348-980
- Référence fabricant:
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-980
- Référence fabricant:
- FS13MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Série | FS13MR12W2M1H_C55 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 25mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Série FS13MR12W2M1H_C55 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 25mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60747, IEC 60749, IEC 60068 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module six-pack MOSFET EasyPACK 2B CoolSiC d'Infineon intègre la technologie CoolSiC MOSFET Enhanced Generation 1, offrant des performances exceptionnelles pour les applications de puissance. Il se présente sous la forme d'un boîtier le plus performant de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm, ce qui garantit une utilisation efficace de l'espace tout en maintenant des performances élevées. Ce module utilise des matériaux à large bande interdite (WBG) de pointe, offrant une efficacité et une gestion thermique supérieures.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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