MOSFET canal N Infineon 100 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK CoolSiC Trench MOSFET Non
- Code commande RS:
- 348-971
- Référence fabricant:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 159,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-971
- Référence fabricant:
- F48MR12W2M1HPB76BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Série | CoolSiC Trench MOSFET | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 17.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Série CoolSiC Trench MOSFET | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 17.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module four-pack MOSFET CoolSiC EasyPACK 2B d'Infineon est conçu pour les applications de puissance à haute performance, incorporant le meilleur boîtier de sa catégorie avec une hauteur compacte de 12 mm pour permettre une utilisation efficace de l'espace. Il est doté d'un matériau à large bande interdite (WBG) de pointe, qui améliore le rendement énergétique et les performances thermiques. Avec une inductance parasite très faible, ce module minimise les pertes de puissance et améliore la vitesse de commutation pour permettre un fonctionnement plus efficace.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
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