MOSFET canal N Infineon 75 A 1200 V Enrichissement, EasyPACK FF11MR12W2M1H_B70 Non
- Code commande RS:
- 348-975
- Référence fabricant:
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-975
- Référence fabricant:
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | EasyPACK | |
| Série | FF11MR12W2M1H_B70 | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier EasyPACK | ||
Série FF11MR12W2M1H_B70 | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Le module demi-pont MOSFET EasyDUAL 2B CoolSiC d'Infineon associe une technologie de pointe à une conception supérieure pour les applications de puissance haute performance. Avec un boîtier de premier ordre et une hauteur compacte de 12,25 mm, il optimise à la fois l'espace et les performances. Ce module utilise un matériau à large bande interdite (WBG) de pointe, ce qui permet d'améliorer le rendement énergétique, les performances thermiques et la fiabilité. Sa très faible inductance parasite dans le module minimise les pertes de puissance et améliore le comportement de commutation.
Efficacité exceptionnelle des modules
Avantages liés au coût du système
Amélioration de l'efficacité du système
Réduction des besoins en refroidissement
Permettre une fréquence plus élevée
Augmentation de la densité de puissance
Meilleure conductivité thermique du matériau DCB
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