MOSFET canal N Infineon 280 A 1200 V Enrichissement Non

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Code commande RS:
349-316
Référence fabricant:
FF3MR12KM1HPHPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

280A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de montage

Borne à vis

Résistance Drain Source maximum Rds

6.32mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

5.59V

Tension maximale de source de la grille Vgs

23V

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

60749, 60068, IEC 60747

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
HU
Le module MOSFET CoolSiC en demi-pont 62 mm d'Infineon est conçu dans le boîtier de 62 mm réputé, intégrant la technologie de puce M1H pour les applications de puissance haute performance. Ce module offre une densité de courant élevée, ce qui le rend idéal pour les systèmes à espace limité qui requièrent des performances robustes. Avec de faibles pertes de commutation, il garantit une plus grande efficacité à des fréquences de commutation élevées. La fiabilité supérieure de l'oxyde de la grille améliore la durabilité, prolongeant la durée de vie du module dans des conditions exigeantes.

Minimise les efforts de refroidissement

Réduction du volume et de la taille

Coûts réduits du système

Conception symétrique du module

Technique de construction standard

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