MOSFET canal N Infineon 200 A 1200 V Enrichissement, EasyDUAL CoolSiCTM Trench MOSFET Non
- Code commande RS:
- 349-253
- Référence fabricant:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
211,28 €
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 211,28 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 349-253
- Référence fabricant:
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | EasyDUAL | |
| Série | CoolSiCTM Trench MOSFET | |
| Type de montage | Borne à vis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 5.35V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier EasyDUAL | ||
Série CoolSiCTM Trench MOSFET | ||
Type de montage Borne à vis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 5.35V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60068, IEC 60747, IEC 60749 | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
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