MOSFET N Infineon 1.2 A 30 V Enrichissement, 3 broches, SOT-23 HEXFET AEC-Q101
- Code commande RS:
- 302-022
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-36-995
- Référence fabricant:
- IRLML2803TRPBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
1,80 €
HT
2,15 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 185 unité(s) prête(s) à être expédiée(s)
- Plus 550 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 90 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,36 € | 1,80 € |
| 50 - 245 | 0,304 € | 1,52 € |
| 250 - 495 | 0,236 € | 1,18 € |
| 500 - 1245 | 0,184 € | 0,92 € |
| 1250 + | 0,16 € | 0,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 302-022
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-36-995
- Référence fabricant:
- IRLML2803TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 250mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 540mW | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.02mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.04mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 250mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 540mW | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.02mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.04mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 1,2A, dissipation de puissance maximale de 540 mW - IRLML2803TRPBF
Ce MOSFET à canal N offre des performances et une fiabilité accrues pour une gamme d'applications électroniques. Conçu avec la technologie Hexfet, il fonctionne efficacement dans des configurations de montage en surface, ce qui le rend adapté aux conceptions compactes dans les secteurs de l'automatisation et de l'électricité. La combinaison d'un faible RDS(on) et d'un courant de drain continu élevé permet une gestion optimale de l'énergie dans diverses conditions.
Caractéristiques et avantages
• Prend en charge un courant de vidange continu maximum de 1,2A pour une performance efficace
• La tension drain-source maximale de 30V permet une utilisation polyvalente
• La faible résistance drain-source maximale de 250mΩ minimise les pertes de puissance
• Le fonctionnement en mode amélioré permet des capacités de commutation efficaces
• Le boîtier compact SOT-23 est idéal pour les applications où l'espace est limité
• Fonctionne à des températures élevées, avec une température maximale de fonctionnement de +150°C
Applications
• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC pour une gestion efficace de l'énergie
• Utilisé dans les circuits de commande de moteur pour améliorer la précision
• Convient pour la commutation de l'alimentation dans l'électronique grand public
• Intégration dans les systèmes d'automatisation pour une gestion efficace de la charge
Quelle est la tension de grille optimale pour le fonctionnement ?
La tension de grille optimale pour ce dispositif est de +10V, ce qui permet une commutation et des performances efficaces.
Comment se comporte-t-il à haute température ?
Ce composant peut fonctionner à des températures allant jusqu'à +150°C, ce qui garantit sa fiabilité dans des conditions thermiques.
Peut-il gérer des courants de drainage pulsés ?
Oui, il supporte des courants de vidange pulsés nettement supérieurs aux valeurs nominales continues, ce qui permet d'absorber des surtensions de courte durée.
Quel type de montage est recommandé pour cet appareil ?
Le montage en surface est le type recommandé, car il offre de meilleures performances thermiques et un meilleur encombrement dans la conception des circuits.
Quelles sont les précautions à prendre lors de l'installation ?
Une bonne gestion thermique et le respect des valeurs nominales maximales sont nécessaires pour éviter tout dommage pendant le fonctionnement.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 1.2 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET AEC-Q101
- MOSFET N Infineon 1.2 A 60 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET N Infineon 1.2 A 20 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET N Infineon 5 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET N Infineon 5.8 A 25 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET N Infineon 4.1 A 20 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET N Infineon 6.3 A 20 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
- MOSFET N Infineon 3.4 A 30 V Enrichissement SOT-23 HEXFET
