MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches

Code commande RS:: 919-4735
Référence fabricant:: IRLML2803TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,2 A 30 V, 3 broches

Prix dégressifs sur quantité

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

264,00 €

318,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

En stock

Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 juillet 2025

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 - 3000	0,088 €	264,00 €
6000 - 6000	0,084 €	252,00 €
9000 +	0,08 €	240,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 919-4735
Référence fabricant:: IRLML2803TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 1,2A, dissipation de puissance maximale de 540 mW - IRLML2803TRPBF

Ce MOSFET à canal N offre des performances et une fiabilité accrues pour une gamme d'applications électroniques. Conçu avec la technologie Hexfet, il fonctionne efficacement dans des configurations de montage en surface, ce qui le rend adapté aux conceptions compactes dans les secteurs de l'automatisation et de l'électricité. La combinaison d'un faible RDS(on) et d'un courant de drain continu élevé permet une gestion optimale de l'énergie dans diverses conditions.

Caractéristiques et avantages

• Prend en charge un courant de vidange continu maximum de 1,2A pour une performance efficace
• La tension drain-source maximale de 30V permet une utilisation polyvalente
• La faible résistance drain-source maximale de 250mΩ minimise les pertes de puissance
• Le fonctionnement en mode amélioré permet des capacités de commutation efficaces
• Le boîtier compact SOT-23 est idéal pour les applications où l'espace est limité
• Fonctionne à des températures élevées, avec une température maximale de fonctionnement de +150°C

Applications

• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC pour une gestion efficace de l'énergie
• Utilisé dans les circuits de commande de moteur pour améliorer la précision
• Convient pour la commutation de l'alimentation dans l'électronique grand public
• Intégration dans les systèmes d'automatisation pour une gestion efficace de la charge

Quelle est la tension de grille optimale pour le fonctionnement ?

La tension de grille optimale pour ce dispositif est de +10V, ce qui permet une commutation et des performances efficaces.

Comment se comporte-t-il à haute température ?

Ce composant peut fonctionner à des températures allant jusqu'à +150°C, ce qui garantit sa fiabilité dans des conditions thermiques.

Peut-il gérer des courants de drainage pulsés ?

Oui, il supporte des courants de vidange pulsés nettement supérieurs aux valeurs nominales continues, ce qui permet d'absorber des surtensions de courte durée.

Quel type de montage est recommandé pour cet appareil ?

Le montage en surface est le type recommandé, car il offre de meilleures performances thermiques et un meilleur encombrement dans la conception des circuits.

Quelles sont les précautions à prendre lors de l'installation ?

Une bonne gestion thermique et le respect des valeurs nominales maximales sont nécessaires pour éviter tout dommage pendant le fonctionnement.

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum	1,2 A
	Tension Drain Source maximum	30 V
	Type de boîtier	SOT-23
	Série	HEXFET
	Type de montage	CMS
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum	250 mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille	1V
	Tension de seuil minimale de la grille	1V
	Dissipation de puissance maximum	540 mW
	Configuration du transistor	Simple
	Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
	Matériau du transistor	Si
	Charge de Grille type @ Vgs	3,3 nC @ 10 V
	Largeur	1.4mm
	Température d'utilisation maximum	+150 °C
	Longueur	3.04mm
	Nombre d'éléments par circuit	1
	Hauteur	1.02mm
	Température de fonctionnement minimum	-55 °C

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum 1,2 A
	Tension Drain Source maximum 30 V
	Type de boîtier SOT-23
	Série HEXFET
	Type de montage CMS
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum 250 mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension de seuil maximale de la grille 1V
	Tension de seuil minimale de la grille 1V
	Dissipation de puissance maximum 540 mW
	Configuration du transistor Simple
	Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V
	Matériau du transistor Si
	Charge de Grille type @ Vgs 3,3 nC @ 10 V
	Largeur 1.4mm
	Température d'utilisation maximum +150 °C
	Longueur 3.04mm
	Nombre d'éléments par circuit 1
	Hauteur 1.02mm
	Température de fonctionnement minimum -55 °C