MOSFET Infineon canal N, SOT-23 1,4 A 30 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 145-8833
- Référence fabricant:
- BSS316NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
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186,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,062 € | 186,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,059 € | 177,00 € |
| 15000 + | 0,055 € | 165,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 145-8833
- Référence fabricant:
- BSS316NH6327XTSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum | 1,4 A | |
| Tension Drain Source maximum | 30 V | |
| Type de boîtier | SOT-23 | |
| Série | OptiMOS™ 2 | |
| Type de montage | CMS | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum | 280 mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension de seuil maximale de la grille | 2V | |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum | 500 mW | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Largeur | 1.3mm | |
| Longueur | 2.9mm | |
| Matériau du transistor | Si | |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C | |
| Charge de Grille type @ Vgs | 0,6 nC @ 5 V | |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum 1,4 A | ||
Tension Drain Source maximum 30 V | ||
Type de boîtier SOT-23 | ||
Série OptiMOS™ 2 | ||
Type de montage CMS | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum 280 mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension de seuil maximale de la grille 2V | ||
Tension de seuil minimale de la grille 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum 500 mW | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Tension Grille Source maximum -20 V, +20 V | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Largeur 1.3mm | ||
Longueur 2.9mm | ||
Matériau du transistor Si | ||
Température d'utilisation maximum +150 °C | ||
Charge de Grille type @ Vgs 0,6 nC @ 5 V | ||
Température de fonctionnement minimum -55 °C | ||
Hauteur 0.9mm | ||
- Pays d'origine :
- CN
Famille de transistors de puissance MOSFET OptiMOS™2 d'Infineon
La famille Infineon OptiMOS™2 N-Canal offre la plus faible la résistance à l'état passant de l'industrie au sein de son groupe de tension. La série de transistor Power MOSFET peut être utilisée dans de nombreuses applications, y compris les télécommunications et communications haute fréquence, le solaire, les lecteurs basse tension et les alimentations de serveur. La famille de produits OptiMOS 2 offre des plages de 20 V et supérieures et propose une sélection de différents types de boîtiers.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.