MOSFET canal N STMicroelectronics 100 A 1200 V, 7 broches, H2PAK-7 SCT0 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 330-232
- Référence fabricant:
- SCT020H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
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- Code commande RS:
- 330-232
- Référence fabricant:
- SCT020H120G3AG
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1200V | |
| Type de Boitier | H2PAK-7 | |
| Série | SCT0 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18.5mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 121nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 555W | |
| Tension directe Vf | 3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | AEC-Q101, RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1200V | ||
Type de Boitier H2PAK-7 | ||
Série SCT0 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18.5mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 121nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 555W | ||
Tension directe Vf 3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations AEC-Q101, RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le circuit MOSFET de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics a été développé en utilisant la technologie MOSFET SiC de 3ème génération avancée et innovante de ST. Le dispositif est doté d'un très faible RDS(on) sur toute la plage de température, combiné à de faibles capacités et à des opérations de commutation très élevées, ce qui améliore les performances d'application en termes de fréquence, d'efficacité énergétique, de taille du système et de réduction du poids.
Qualifié AEC-Q101
RDS(on) très faible sur toute la plage de température
Performances de commutation à grande vitesse
Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste
Broche de détection de la source pour une efficacité accrue
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