MOSFET canal N STMicroelectronics 10 A 800 V, 3 broches, TO-220FP STF
- Code commande RS:
- 330-458
- Référence fabricant:
- STF80N450K6
- Marque:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 + | 2,603 € | 130,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 330-458
- Référence fabricant:
- STF80N450K6
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 10A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-220FP | |
| Série | STF | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 450mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 24.5W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.6mm | |
| Largeur | 10.4mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 30.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 10A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-220FP | ||
Série STF | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 450mΩ | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 24.5W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.6mm | ||
Largeur 10.4mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 30.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
- Pays d'origine :
- CN
Le MOSFET de puissance haute tension à canal N de STMicroelectronics est conçu à partir de la technologie MDmesh K6, basée sur 20 ans d'expérience de STMicroelectronics dans la technologie des super jonctions. Le résultat est la meilleure résistance sous tension de sa catégorie par zone et charge de grille pour les applications nécessitant une densité de puissance supérieure et un haut rendement.
Charge de grille ultra-faible
Protégé par Zener
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