MOSFET canal N Infineon 173 A 750 V Enrichissement, 22 broches, PG-HDSOP-22 CoolSiC AEC-Q101
- Code commande RS:
- 348-928
- Référence fabricant:
- AIMDQ75R008M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 348-928
- Référence fabricant:
- AIMDQ75R008M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 173A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Type de Boitier | PG-HDSOP-22 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 22 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 625W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 178nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 173A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Type de Boitier PG-HDSOP-22 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 22 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 625W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 178nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET CoolSiC 750 V d'Infineon est construit sur la technologie de carbure de silicium solide développée par Infineon depuis plus de 20 ans. Exploitant les caractéristiques du matériau SiC à large bande interdite, le MOSFET CoolSiC 750 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation. Adapté aux températures élevées et aux opérations difficiles, il permet le déploiement simplifié et rentable d'un système d'une efficacité maximale.
Technologie de fixation de matrice propre à Infineon
Broche source du pilote disponible
Robustesse et fiabilité accrues pour les tensions de bus supérieures à 500 V
Efficacité supérieure dans la commutation dure
Fréquence de commutation plus élevée dans les topologies de commutation douce
Robustesse à l'égard de l'activation parasite pour la commande de grille unipolaire
La meilleure dissipation thermique de sa catégorie
Pertes de commutation réduites grâce à un meilleur contrôle de la grille
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