MOSFET canal N Infineon 173 A 750 V Enrichissement, 22 broches, PG-HDSOP-22 CoolSiC
- Code commande RS:
- 349-329
- Référence fabricant:
- IMDQ75R008M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 349-329
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- IMDQ75R008M1HXUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 173A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 750V | |
| Type de Boitier | PG-HDSOP-22 | |
| Série | CoolSiC | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 22 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 10.6mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 625W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 23V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 178nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 173A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 750V | ||
Type de Boitier PG-HDSOP-22 | ||
Série CoolSiC | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 22 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 10.6mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 625W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 23V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 178nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MY
Le MOSFET CoolSiC G1 750 V d'Infineon est basé sur la technologie de carbure de silicium solide d'Infineon, développée depuis plus de 20 ans. En exploitant les caractéristiques des matériaux SiC à large bande interdite, le MOSFET CoolSiC 750 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation. Ce MOSFET est conçu pour résister à des températures élevées et à des conditions de fonctionnement difficiles, ce qui le rend idéal pour les applications exigeantes. Il permet le déploiement simplifié et rentable de systèmes à haut rendement, répondant aux besoins évolutifs de l'électronique de puissance dans des environnements difficiles.
Technologie de fixation de matrice propre à Infineon
Boîtier à refroidissement par le haut à la pointe de la technologie
Broche source du pilote disponible
Robustesse accrue pour résister à des tensions de bus supérieures à 500 V
Efficacité supérieure dans la commutation dure
Fréquence de commutation plus élevée dans les topologies de commutation douce
Robustesse à l'égard de l'activation parasite pour la commande de grille unipolaire
La meilleure dissipation thermique de sa catégorie
Pertes de commutation réduites grâce à un meilleur contrôle de la grille
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