MOSFET N Infineon 48 A 600 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO220-3 IPA
- Code commande RS:
- 348-987
- Référence fabricant:
- IPAN60R180CM8XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,648 € | 8,24 € |
| 50 - 95 | 1,568 € | 7,84 € |
| 100 - 495 | 1,45 € | 7,25 € |
| 500 - 995 | 1,334 € | 6,67 € |
| 1000 + | 1,286 € | 6,43 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 348-987
- Référence fabricant:
- IPAN60R180CM8XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 48A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PG-TO220-3 | |
| Série | IPA | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 180mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 17nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 25W | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 48A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PG-TO220-3 | ||
Série IPA | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 180mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 17nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 25W | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La plateforme CoolMOS de 8e génération d' Infineon est une technologie révolutionnaire pour les MOSFET de puissance à haute tension, conçue selon le principe de la superjonction et mise au point par Infineon Technologies. La série CoolMOS CM8 600 V est le successeur du CoolMOS 7. Elle combine les avantages d'un MOSFET SJ à commutation rapide avec une excellente facilité d'utilisation, par exemple une faible tendance à la résonance, une diode de corps rapide intégrée (CFD) pour tous les produits avec une robustesse exceptionnelle contre la commutation dure et une excellente capacité ESD.
Réduction significative des pertes de commutation et de conduction
Gestion thermique simplifiée grâce à notre technique avancée de fixation de matrice
Convient à diverses applications et de gammes de puissance
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