MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO220-3 CoolMOS^TM
- Code commande RS:
- 259-1574
- Référence fabricant:
- SPP06N80C3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (50 unités, dans un tube de 50)*
56,05 €
HT
67,25 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 200 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,121 € | 56,05 € |
| 100 - 200 | 1,068 € | 53,40 € |
| 250 - 450 | 1,04 € | 52,00 € |
| 500 - 950 | 1,014 € | 50,70 € |
| 1000 + | 0,988 € | 49,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 259-1574
- Référence fabricant:
- SPP06N80C3XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | PG-TO220-3 | |
| Série | CoolMOS^TM | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.9Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 31nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 83W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | JEDEC1, RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier PG-TO220-3 | ||
Série CoolMOS^TM | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.9Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 31nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 83W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations JEDEC1, RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor de puissance coolmostm d'Infineon est une application de commutation. Il s'agit d'une application industrielle avec une tension de masse c.c. élevée. Il est qualifié conformément à la norme JEDEC1 pour les applications cibles.
Extrême valeur nominale dv/dt
Capacité de courant de crête élevée
Charge de grille ultra-faible
Capacités effectives ultrafaibles
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement PG-TO220-3 CoolMOS^TM
- MOSFET canal N Infineon 54.9 A 800 V PG-TO-247 CoolMOS^TM
- MOSFET canal N Infineon 6 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 8 A 800 V PG-TO220-3 CoolMOSTM 800V
- MOSFET canal N Infineon 48 A 600 V Enrichissement PG-TO220-3 IPA
- MOSFET canal N Infineon 70 A 600 V Enrichissement PG-TO220-3 IPP
- MOSFET canal N Infineon 135 A 600 V Enrichissement PG-TO220-3 IPP
- MOSFET canal N Infineon 36.23 A 700 V Enrichissement PG-TO220-3 IPP